三星、SK海力士在提高標準DRAM和NAND芯片產(chǎn)量方面仍保持保守態(tài)度。據(jù)悉，8Gb DDR4 DRAM 通用內(nèi)存的合約價在四月份環(huán)比上漲了 17%，但面向閃存盤等便攜存儲設備的 128Gb（16Gx8）MLC 通用閃存的價格卻按兵不動。
這主要是因為四月初的臺灣地區(qū)地震影響了美光內(nèi)存產(chǎn)能，短時間內(nèi)推動通用內(nèi)存需求走高。整體來看通用存儲芯片的需求并未真正復蘇，下游企業(yè)仍持有相當數(shù)量的庫存。
另一方面，國際地緣政治局勢目前處于不穩(wěn)定狀態(tài)。近期中東地區(qū)局勢緊張，美國大選年也對全球貿(mào)易帶來額外的不穩(wěn)定因素，兩重影響交織下通用存儲芯片需求的可見度已然降低。
此外，AI 熱潮下 HBM 內(nèi)存需求旺盛，而 HBM 的晶圓消耗量是通用 DRAM 的 2~3 倍。在三星電子、SK 海力士積極擴產(chǎn) HBM 的背景下，通用 DRAM 的晶圓投片量勢必得到抑制。
今年下半年將迎來蘋果 iPhone 16 系列、三星 Galaxy Z 系列等重磅智能手機的發(fā)布，報道預測這波新機潮有望成為原廠增產(chǎn)標準存儲芯片的契機。
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